本发明的实施例提供了集成电路，包括第一标准单元，具有集成的第一p型场效应晶体管(pFET)和第一n型场效应晶体管(nFET)，并且具有位于第一标准单元边界上的第一介电栅极。该集成电路还包括第二标准单元，第二标准单元与第一标准单元相邻，具有集成的第二pFET和第二nFET，并且具有位于第二标准单元边界上的第二介电栅极。集成电路也包括配置在第一和第二标准单元之间并且具有单节距尺寸P的第一填充单元。第一pFET和第二pFET形成在第一连续有源区域上。第一nFET和第二nFET形成在第二连续有源区域上。第一填充单元包括位于第一填充单元边界上的第三介电栅极和位于第二填充单元边界上的第四介电栅极。