本发明公开了一种利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法，包括：步骤S1，提供半导体器件，其表面形成金属层、蚀刻停止层、介质层，刻蚀介质层及部分蚀刻停止层并停在蚀刻停止层中；步骤S2，沉积抗反射材料并回刻；步骤S3，沉积光阻材料，显影打开工艺窗口；步骤S4，刻蚀光阻材料和抗反射材料；步骤S5，干法刻蚀介质层和抗反射材料，刻蚀后抗反射材料顶面高于蚀刻停止层顶面；步骤S6，去除剩余的抗反射材料；步骤S7，继续刻蚀蚀刻停止层并停至金属层中。本发明将介质层开口做大形成锥形形貌时保留部分抗反射材料再去除抗反射材料、打开蚀刻停止层，从而保证蚀刻停止层底部不被破坏，减少铜侵蚀导致的晶圆可接受性测试中电阻值异常偏离的情况。