本发明涉及一种半导体器件栅极高度平坦化方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括：在所述有源区上形成多晶硅栅，然后进行组件增强工艺，其中，所述多晶硅栅由多晶硅、位于多晶硅上的多晶硅栅掩模层以及侧墙共同构成；在所述多晶硅栅的表面形成硬质掩模层，然后回填氧化硅介电层；进行第一次化学机械研磨，停止在所述硬质掩模层；沉积非晶硅薄膜；进行第二次化学机械研磨至所述非晶硅薄膜平坦化；以及以刻蚀工艺选定无选择性蚀刻方式进行回蚀；以有效控制栅极高度的一致性，提高组件电性与工艺窗口。