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专利名称一种降低晶圆键合边缘扭曲度的方法
申请日2018-11-22
申请号/专利号CN201811401688.9
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人郝林坡;郭万里
公告日2019-03-29
公告号CN109545692A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开一种降低晶圆键合边缘扭曲度的方法,用于晶圆键合工艺中,其中包括:提供一具有芯片的器件晶圆与一承载晶圆;通过一夹具夹持叠置的器件晶圆及承载晶圆的边缘,并通过施加预设压力至器件晶圆与承载晶圆的中心区域上,进行晶圆键合工艺,以形成键合晶圆;根据器件晶圆上的芯片数量,控制夹具的释放时间。本发明的技术方案有益效果在于:在晶圆键合的过程中,根据器件晶圆上的芯片数量,控制夹具的释放时间,从而降低键合晶圆的边缘的扭曲度,提高后续光刻制程或刻蚀制程穿透晶圆的对准精度,进一步提高键合晶圆的产品性能。
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