本发明公开了一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式，包括以下步骤：溅镀：在集成电路芯片表面溅镀金属膜；光阻涂布：用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；曝光：用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；显影：用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；电镀金：在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；光阻去除；进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层；钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜；用蚀刻液处理上述得到的晶圆上形成待蚀刻层，在待蚀刻层上形成光阻层，在光阻层上形成抗反射层；对抗反射层和光阻层进行曝光显影处理。