本发明公开了一种晶粒缺陷监控方法，适用于集成电路生产过程中，提供一虚拟标准晶圆，及虚拟标准晶圆上的虚拟坐标，以及虚拟坐标与虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系；包含以下步骤：步骤S1，提供一晶圆，对晶圆执行一缺陷检测操作获得晶圆中缺陷位置；步骤S2，晶圆上缺陷位置的实际坐标转换至虚拟坐标；步骤S3，根据虚拟坐标获得并记录缺陷位置对应的晶粒的位置；步骤S4，重复步骤S1至S3；步骤S5，根据记录的缺陷位置对应的晶粒的位置，得到每个晶粒的缺陷变化趋势。本发明的技术方案有益效果在于：能够在晶粒级别上发现晶圆表面上特定区域的缺陷异常情况和监控缺陷的变化趋势，并进行有效报警。