本发明公开了一种基于正交试验的硅通孔TSV阵列温度优化方法，主要克服了现有三维集成电路温度优化技术效率及精度低的不足，其实现步骤是：设定影响硅通孔阵列温度的因素；选取至少三个作为关键因素；为各个关键因素选取参数；依据选取的因素及参数生成正交试验表；利用有限元仿真软件建立硅通孔几何模型，并按照正交试验表安排试验，将结果添加至正交试验表中；确定各因素影响温度的主次顺序，设计降低硅通孔阵列温度的最优方案。本发明基于正交试验和有限元仿真，能在有限的试验次数内获得比遍历试验精度更高的试验结果，大量节省计算时间并避免了大规模数据处理，提高了硅通孔TSV阵列温度优化效率及精确度,可用于三维集成电路的设计。