本发明公开了一种全MOS基准电流产生电路，主要解决现有技术结构复杂、功耗高的问题。其包括：负温度系数电流产生器、正温度系数电流产生器和电流相加器，电流相加器连接在负温度系数电流产生器与正温度系数电流产生器之间。其中负温度系数电流产生器产生具有负温度系数的第一电流I1，正温度系数电流产生器产生具有正温度系数的第二电流I2，电流相加器分别按比例α、β合成第一电流I1和第二电流I2，其中输出为一近似零温度系数的基准电流Iref＝αI1+βI2。本发明与传统的带隙基准电流源相比，无需使用运算放大器与双极型晶体管，结构简单，功耗低，可用于大规模模拟集成电路设计。