本申请公开了一种MOS晶体管的制造方法、集成电路的制造方法、MOS晶体管及集成电路。该MOS晶体管的制造方法包括：在半导体衬底中形成轻掺杂区；在所述半导体衬底表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成栅极；以及在所述轻掺杂区内形成所述MOS晶体管的源极和/或漏极，其中，所述轻掺杂区在形成所述栅介质层之前形成。该MOS晶体管的制造方法通过在栅介质层形成之前形成轻掺杂区，因此在形成轻掺杂区时不会对栅介质层造成影响，从而提高MOS晶体管的良率和可靠性。