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专利名称空气桥制造方法
申请日2018-11-12
申请号/专利号CN201811337306.0
专利权人苏州汉骅半导体有限公司
申请人苏州汉骅半导体有限公司
发明人/设计人范谦;倪贤锋;何伟
公告日2019-03-15
公告号CN109473391A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本申请提出一种空气桥制造方法,包括:提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极;在所述衬底和电极表面形成第一光刻胶层,对所述第一光刻胶层进行部分曝光后对所述第一光刻胶层进行显影,以形成桥体和暴露出电极表面;在所述电极和第一光刻胶层上依次形成金属种层和第二光刻胶层,并对所述第二光刻胶层进行光刻,去除所述桥体和电极上的第二光刻胶层,形成窗口;在所述窗口内的金属种层上形成金属电镀层,并去除剩余的第二光刻胶层;去除非所述窗口内的金属种层,去除所述第一光刻胶层,形成空气桥。本申请所提出的空气桥制造方法,空气桥的形状可以被精确控制,具有高纵横比和稳定机械强度,可以提高单片微波集成电路制造工艺的良率和可重复性。
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