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专利名称空气桥制造方法
申请日2018-11-12
申请号/专利号CN201811337356.9
专利权人苏州汉骅半导体有限公司
申请人苏州汉骅半导体有限公司
发明人/设计人范谦;倪贤锋;何伟
公告日2019-03-29
公告号CN109545738A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明涉及一种空气桥制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极;在所述衬底和电极上形成光刻胶层,对所述光刻胶层进行部分曝光、显影,以暴露出所述电极和形成连接所述电极的桥体;在剩余的所述光刻胶层上形成金属种层,在所述金属种层上形成金属电镀层;进行第一次研磨;进行第二次研磨;去除所述剩余的光刻胶层。本申请所提出的空气桥制造方法,可以根据实际需要制造出任意曲率的空气桥,空气桥的形状可以被精确控制,可以制作出高纵横比和稳定机械强度的空气桥,相比于微波集成电路制作里传统的空气桥工艺,整个流程大大简化,提高了制造工艺的的可靠性和稳定性。
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