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专利名称基于等离激元及压电薄膜温度频率特性的红外传感器
申请日2018-11-12
申请号/专利号CN201811340646.9
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人/设计人陶金;梁中翥;孟德佳;吕金光;秦余欣;梁静秋;罗奕;侯恩柱
公告日2020-02-07
公告号CN109459143B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

基于等离激元及压电薄膜温度频率特性的红外传感器涉及红外传感技术领域,解决了现有技术中吸收率较低的问题,包括从下至上依次连接的读出集成电路衬底、压电薄膜和表面等离激元。本发明非制冷红外传感器通过在压电薄膜表面集成表面等离激元,利用表面等离激元实现对红外光谱的增强吸收,吸收的能量作用于压电薄膜上,将非制冷红外传感器的吸收率从20%提高到80%以上,同时增加了非制冷红外传感器对入射频谱的选择性;通过压电薄膜和表面等离激元集成在读出集成电路衬底上,可集成制造、批量生产,且成本低廉;既有传统非制冷红外传感的优点,同时响应快速、传感灵敏度高。
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