本发明涉及在集成电路产品上形成接触结构的方法，揭示一种示例方法，包括但不限于：形成至少一牺牲材料层于一下方导电结构之上，形成一牺牲接触结构于所述至少一牺牲材料层中，以及形成至少一绝缘材料层于所述牺牲接触结构的周围。于该示例中，该方法还包括执行至少一工艺操作以暴露所述牺牲接触结构的一上表面，移除所述牺牲接触结构以形成暴露所述下方导电结构的所述上表面的一接触开口以及形成一最终接触结构于所述接触开口中，所述最终接触结构导电接触所述下方导电结构。