本实用新型为一种硅集成电路的铟层镀膜机构，包括真空室、蒸发源、基片架和中心隔板；真空室的顶端上方设有驱动机构，驱动机构通过传动轴穿入真空室内与基片架连接；真空室的后侧壁上设有主抽气口，主抽气口上设有冷阱，中心隔板的四周通过螺钉固定在真空室的中部内侧壁上，中心隔板的中心开有孔，孔的大小保证束流的入射角度在80°以上；蒸发源包括坩埚、加热丝、热屏蔽罩、不锈钢冷却水套和不锈钢法兰；坩埚的外部设有加热丝，加热丝的外部设有热屏蔽罩，热屏蔽罩的外部设有不锈钢冷却水套，不锈钢冷却水套通过杆件与不锈钢法兰焊接，坩埚的上部设有喷口，蒸发源通过不锈钢法兰设置在真空室内的底部，保证蒸发源中心与基片架中心处于同一直线。