本发明涉及一种用以在集成电路电阻器中实现较高电流密度的结构。一种集成电路(100)，其具有包含半导体材料(104)的衬底(102)，及在互连区域(112)中在第一级互连线(120)上面的电阻器(128)。所述集成电路(100)进一步包含电隔离热导管(130)，其在低于所述电阻器(128)的每一互连级中具有一或多个互连线(120)。所述热导管(130)的所述互连线(120)通过一或多个垂直互连件，包含触点(122)，及可能通孔(126))直接连接到位于在所述衬底(102)的所述半导体材料(104)上方的介电材料(106)上的栅极结构(132)。所述热导管(130)与所述电阻器(128)、所述集成电路(100)中的所有有源组件(108)以及所述衬底(102)的所述半导体材料(104)电隔离。