本发明公开了一种采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，包括形成于衬底上的反熔断单元和选择晶体管；反熔断单元包括编程栅极、编程栅极绝缘介电层及位于编程栅极的相对两侧的衬底中的第二掺杂区和浅沟槽隔离结构；编程栅极绝缘介电层下方的衬底中形成有第一掺杂区；编程栅极、编程栅极绝缘介电层与第二掺杂区构成一电容器；选择晶体管包括选择栅极、选择栅极绝缘介电层及位于选择栅极的相对两侧的衬底中的第二掺杂区和第三掺杂区，第二掺杂区和第三掺杂区均为P型掺杂。本发明的存储单元结合PMOS工艺实现，存储特性在编程前后体现出不同的高低阻态，从而形成所需的存储基本功能，扩展了存储器件类型，可以满足一次性可编程存储器产品的应用需求。