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专利名称半导体测试结构及其形成方法
申请日2018-11-06
申请号/专利号CN201811312362.9
专利权人格芯公司
申请人格芯公司
发明人/设计人安东尼·K·史塔佩尔;P·S·斯平尼;J·C·施塔姆
公告日2019-05-14
公告号CN109755221A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明涉及半导体测试结构及其形成方法,包括一种用于晶片的半导体芯片的测试结构及其形成方法。该测试结构可包括设置于在该晶片上的第一芯片的角落区内的第一部分,与设置于在该晶片上的另一芯片的另一角落内的至少另一部分,其中,在切晶该芯片之前,该部分形成该测试结构。该测试结构可包括电子测试结构或光学测试结构。该电子测试结构可包括数个探针焊垫,各探针焊垫安置成横越两个或多个芯片的两个或多个角落区。在切晶该芯片期间,可从该芯片移除包括设置于其中的测试结构的该角落区。
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