本发明公开了一种形成浅沟槽隔离的方法，包括如下步骤：S01：在衬底上形成垂直于衬底的鳍结构；S02：以四氯化硅和氧气为刻蚀气体，对相邻鳍结构之间的衬底进行刻蚀，得到从衬底上方到下方逐渐变窄的浅沟槽隔离以及覆盖在所述鳍结构侧壁和上表面的氧化硅层；S03：去除上述的氧化硅层，形成位于鳍结构之间的浅沟槽隔离。本发明提供的一种形成浅沟槽隔离的方法，采用不同的刻蚀方式形成鳍结构和浅沟槽隔离，从而同时满足鳍结构以及浅沟槽隔离与衬底表面的不同夹角需求。