本发明提供了一种改善硅化物阻挡层刻蚀缺陷的方法，硅化物阻挡层包含第一阻挡层、第二阻挡层与第三阻挡层，在对所述硅化物阻挡层进行刻蚀时，第一次刻蚀去除所述第三阻挡层，此时所述第二阻挡层作为刻蚀停止层，第二次刻蚀去除所述第二阻挡层，此时所述第一阻挡层作为刻蚀停止层，第三次刻蚀去除所述第一阻挡层。将所述硅化物阻挡层分为三层，所述第二阻挡层与所述第一阻挡层分别作为第一次刻蚀与第二次刻蚀时的刻蚀停止层，能够避免对所述第三阻挡层以及所述第二阻挡层造成过刻蚀，从而有效避免过刻蚀造成的缺陷，由此提高器件性能。