本发明公开了用于先进的集成电路结构制造的具有单栅极间隔的鳍修整隔离。本公开的实施例属于以下的领域：先进的集成电路结构制造，并且具体地10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种方法包括形成多个鳍，所述多个鳍中的各个鳍沿着第一方向。在所述多个鳍之上形成多个栅极结构，栅极结构中的各个栅极结构沿着与第一方向正交的第二方向。在所述多个栅极结构中的相邻的栅极结构之间形成电介质材料结构。去除所述多个栅极结构中的一个栅极结构的一部分以暴露所述多个鳍中的每一个鳍的一部分。去除所述多个鳍中的每一个鳍的被暴露的部分。在所述多个鳍中的每一个鳍的被去除部分的位置中形成绝缘层。