用于先进集成电路结构制造的沟槽隔离。本公开的实施例在先进集成电路结构制造，并且特别是10纳米节点和更小的集成电路结构制造以及得到的结构的领域中。在示例中，一种集成电路结构包括包括硅的鳍片，所述鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分。第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上，其中第一绝缘层是包括硅和氧的非掺杂绝缘层。第二绝缘层直接在第一绝缘层上，第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上，第二绝缘层包括硅和氮。电介质填充材料与直接在第一绝缘层上的第二绝缘层直接侧向相邻，第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上。