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专利名称一种亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12及其制备方法
申请日2018-11-05
申请号/专利号CN201811307139.5
专利权人中国科学院物理研究所
申请人中国科学院物理研究所
发明人/设计人龙有文;王潇
公告日2019-01-08
公告号CN109166686A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供了一种亚铁磁性半导体,其化学式为LaCu3Fe2Os2O12,空间群为Pn‑3,晶格常数为居里温度为520K,带隙宽度为约0.2eV。本发明还提供了一种制备所述亚铁磁性半导体的方法,包括:(1)将La2O3、Fe2O3、CuO、Os和氧源研磨混合,得到混合物;(2)将混合物填充到金胶囊或铂胶囊中,密封;(3)将金胶囊或铂胶囊置于6~10GPa的压力以及1000~1200℃的温度下进行处理;和(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温,卸压,然后从金胶囊或铂胶囊中取出,研磨并清洗,从而得到亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12。本发明的亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12在未来的磁性半导体集成电路器件、红外‑远红外传感器件以及多功能集成器件中具有潜在应用价值。
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