本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体属于10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括包含硅的鳍片。多个栅极结构在所述鳍片之上，所述多个栅极结构中的各个栅极结构沿着与鳍片正交的方向并且具有一对电介质侧壁间隔部。沟槽接触结构在鳍片之上并且直接在所述多个栅极结构中的第一对栅极结构的电介质侧壁间隔部之间。接触插塞在鳍片之上并且直接在所述多个栅极结构中的第二对栅极结构的电介质侧壁间隔部之间，接触插塞包括下电介质材料和上硬掩模材料。