提供了一种集成电路器件和制造其的方法。集成电路器件包括：半导体衬底、限定半导体衬底的有源区域的器件隔离层、在有源区域上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极堆叠、在栅极堆叠的侧壁上的间隔物、以及提供在栅极堆叠的两侧的杂质区域，其中栅极堆叠包括金属碳化物层和在金属碳化物层上的金属层，其中金属碳化物层包括具有约0.01at％到约15％的碳含量的层。