本发明公开了用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构。本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且尤其是10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构的领域。在示例中，集成电路结构包括在鳍的第一末端之上的第一隔离结构。栅极结构在所述鳍之上，并且沿着所述方向与第一隔离结构间隔开。第二隔离结构处于鳍的第二末端之上，第二末端与第一末端相对。将第二隔离结构与所述栅极结构间隔开。第一隔离结构和第二隔离结构二者都包括第一电介质材料，其侧向环绕与第一电介质材料不同的凹陷的第二电介质材料。所述凹陷的第二电介质材料侧向环绕与第一和第二电介质材料不同的第三电介质材料的至少一部分。