本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体属于10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括在第一ILD层中并且被第一ILD层间隔开的第一多个导电互连线，其中第一多个导电互连线中的各个导电互连线包括沿着第一导电填充材料的侧壁和底部的第一导电阻挡材料。第二多个导电互连线在第一ILD层上方在第二ILD层中并且被第二ILD层间隔开，其中第二多个导电互连线中的各个导电互连线包括沿着第二导电填充材料的侧壁和底部的第二导电阻挡材料，其中第二导电填充材料在构成上与第一导电填充材料不同。