本发明提供了一种金属互连结构及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成第一绝缘层与介质层，形成多个第一凹槽在介质层内，第一凹槽暴露出部分第一绝缘层，形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一凹槽的侧壁及底部，刻蚀第一凹槽内的第二绝缘层、第一绝缘层以及部分衬底，以形成第二凹槽，第二凹槽侧壁上的第二绝缘层的顶表面低于第二凹槽的顶表面，使得第二凹槽顶部的开口尺寸大于第二凹槽其余位置处的开口尺寸，以及，形成金属层在第二凹槽内，在第二凹槽内形成金属层时，由于顶部的开口尺寸增大，能够增加金属填充时顶部悬垂效应的窗口，降低孔洞形成的可能，从而提高半导体器件的性能。