本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域，并且尤其是10纳米节点和更小集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括处于衬底上方的层间电介质(ILD)层中并由层间电介质层间隔开的多个导电互连线。多个导电互连线中的个体导电互连线具有低于ILD层的上表面的上表面。蚀刻停止层在ILD层和多个导电互连线上并与其共形，蚀刻停止层具有非平面上表面，该非平面上表面的最上部分在ILD层之上，并且该非平面上表面的最下部分在多个导电互连线之上。