本发明公开了一种NMOS管，包括：在硅衬底的表面形成有P阱；在P阱表面形成有栅极结构；在栅极结构的两侧形成有凹槽；在凹槽中嵌入式外延层，嵌入式外延层包括：硅种子层，硅磷主体层，位于硅磷主体层和硅种子层之间的硅磷缓冲层，突出到凹槽顶部的硅盖帽层；硅磷主体层具有磷重掺杂的结构，硅磷缓冲层具有磷轻掺杂的结构；磷轻掺杂的硅磷缓冲层用于减少嵌入式外延层的磷向周侧的P阱中外扩的数量从而减少并防止外扩的磷对的沟道的影响。本发明还公开了一种NMOS管的制造方法。本发明能改善器件的短沟道效应并从而改善器件的稳定度。