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| 专利名称 | 改善基底反射导致离子注入层光刻缺陷的方法 |
| 申请日 | 2018-10-29 |
| 申请号/专利号 | CN201811267138.2 |
| 专利权人 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 申请人 | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 发明人/设计人 | 谭轶群;于世瑞;俞海滨 |
| 公告日 | 2019-03-26 |
| 公告号 | CN109522618A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 | 集成电路 |
摘要
本发明涉及一种改善基底反射导致离子注入层光刻缺陷的方法，涉及数学物理模型和过程模拟，利用有源区与浅沟道隔离区之间的侧壁图形模拟二次曝光，查找对基底反射敏感的图形，实现初次出版阶段的缺陷预测和修补，减少光罩数量，降低生产成本。
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