本发明涉及半导体及集成电路领域，公开了一种光刻胶及其制备方法和应用以及光刻方法。所述光刻胶含有树脂和光致产酸剂，所述树脂含有5‑20wt％的单元单体Ⅰ、10‑30wt％的单元单体Ⅱ以及50‑70wt％的单元单体Ⅲ，所述单元单体Ⅰ为具有式(1)所示的侧链含有富勒烯的丙烯酸酯重复链节的大分子单体，所述单元单体Ⅱ为具有式(2)所示的侧链含有血卟啉单甲醚的丙烯酸酯重复链节的大分子单体，所述单元单体Ⅲ为能够与所述单元单体Ⅰ和单元单体Ⅱ共聚的单体，R1、R2和R3为氢原子或C1‑C5的烷基，m为10‑30，n为10‑50。本发明提供的光刻胶能够达到与非晶碳同样的刻蚀速率，同样的沟槽填充能力，在光刻胶层的形成过程中，可以实现使用光刻工艺的旋转匀胶机来替代CVD机台，节约成本。