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专利名称密封环结构,半导体管芯和侦测半导体管芯上裂缝的方法
申请日2018-10-29
申请号/专利号CN201811268547.4
专利权人联发科技股份有限公司
申请人联发科技股份有限公司
发明人/设计人潘建尉;傅景鸿;范国龙
公告日2019-07-19
公告号CN110034071A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明实施例提供了一种密封环结构,半导体管芯和侦测半导体管芯上裂缝的方法。其中,该密封环结构包括:密封环,位于半导体衬底上,该密封环包括:第一互连元件,形成于浅沟槽隔离区和第一组的P型掺杂区上,其中该浅沟槽隔离区和该第一组的P型掺杂区位于该半导体衬底上;以及多个第二互连元件,形成于该第一互连元件的下方并且位于第二组的P型掺杂区上,其中该第二组的P型掺杂区位于该半导体衬底上,其中,该第二互连元件与该第一互连元件电性隔离,并且该第一组的P型掺杂区和该第二组的P型掺杂区通过该浅沟槽隔离区分开。借助于这样的密封环结构,可以将第二互连元件作为感应点来侦测半导体密管芯是否存在裂缝。
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