本发明公开了一种CIS的内部透镜的制造方法包括步骤：步骤一、提供半导体衬底；步骤二、形成第一氮化层；步骤三、涂布光刻胶层；步骤四、形成包括多个具有第一宽度的第一开口的光刻胶图形；步骤五、对第一氮化层进行第一次刻蚀形成第一凹槽；步骤六、对光刻胶图形进行开口展宽的刻蚀；步骤七、对第一氮化层进行第二次刻蚀并在第一氮化层的侧面形成一个台阶；步骤八、重复步骤六的开口展宽刻蚀和步骤七的第二次刻蚀形成具有多个台阶初始突出结构；步骤九、去胶并形成第二氮化层，第二氮化层使各台阶圆弧化并使第一和二氮化层的叠加形成具有椭圆形的最终突出结构并组成内部透镜。本发明能容易对内部透镜的外部形貌进行精确控制且工艺简单。