本发明公开了一种半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括提供包括形成有第一栅极结构的器件区和形成有第二栅极结构的外围区的衬底，在第一和第二栅极结构侧壁形成第一侧墙；在第一栅极结构两侧的衬底内形成第一源漏区；在器件区和外围区上形成覆盖第一栅极结构和第二栅极结构并填充相邻的两个第一栅极结构之间的缝隙的第一层间介质层，在第二栅极结构的侧壁形成第二侧墙；在第二栅极结构两侧的衬底内形成第二源漏区；在器件区和外围区上形成覆盖第一层间介质层、第一栅极结构和第二栅极结构的第二层间介质层。本发明减少了层间介质层的填充空洞，提高了层间介质层填充栅极结构之间的间隙的能力。