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专利名称一种元胞结构及功率器件
申请日2018-10-16
申请号/专利号CN201821669760.1
专利权人南京华瑞微集成电路有限公司
申请人南京华瑞微集成电路有限公司
发明人/设计人胡兴正;陈虞平;刘海波
公告日2019-07-09
公告号CN209087848U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类集成电路

摘要

本实用新型公开了一种元胞结构及功率器件。该元胞包括N‑外延层和两个对称间隔设置在N‑外延层上侧的P‑阱,两个P‑阱内上侧分别设有第一N+阱,所述P‑阱的内端上侧、第一N+阱的内上侧和两个P‑阱之间的N‑外延层上侧覆盖有第一栅氧层,所述第一栅氧层上侧设有第一多晶条,所述第一多晶条中间两侧的P‑阱上分别横向间隔设有两个第二N+阱,所述两个第二N+阱的内上侧以及两个第二N+阱之间的P‑阱上侧横向设有第二栅氧层,所述第二栅氧层上侧设有第二多晶条。本实用新型通过结构改进,可引导雪崩电流走向,从而提高雪崩耐量。经该方案改善后,器件雪崩耐量一般可提高50%以上。
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