本发明公开一种半导体装置及其形成方法，其中该形成半导体装置的方法包含有下述步骤。首先，形成一第一图案化光致抗蚀剂层于一基底上。接着，在形成第一图案化光致抗蚀剂层于基底上之后，形成一第二图案化光致抗蚀剂层于基底上，其中第一图案化光致抗蚀剂层与第二图案化光致抗蚀剂层交错排列。接续，形成一衬垫层覆盖第一图案化光致抗蚀剂层以及第二图案化光致抗蚀剂层的侧壁。本发明还提供一种半导体装置，包含有多个柱状结构设置于一层上，其中此层包含第一凹槽以及第二凹槽，其中此些第一凹槽的深度小于此些第二凹槽的深度。