本发明提供了一种MOS晶体管及其形成方法，以及闪存的形成方法，MOS晶体管的形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有介质层，介质层上形成有栅电极；在介质层上形成图形化的第一掩模层；在所述半导体衬底中形成轻掺杂源/漏区；以图形化的第一掩膜层为掩模，对介质层执行刻蚀工艺，以减薄轻掺杂源/漏区上方的介质层的厚度，并去除图形化的第一掩模层；形成栅介质层。本发明通过在形成轻掺杂源/漏区之后加入一刻蚀工艺，以减薄位于轻掺杂源/漏区上方的介质层厚度，改善了在后续形成栅介质层时去除位于所述重掺杂源/漏区上方的介质层时栅介质层两侧出现突出的侧向腐蚀的问题，从而解决了MOS晶体管的击穿电压单点偏低的问题。