本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一基底，至少一位线位于该基底上，其中该位线顶端包含有一圆角掩模(roundinghardmask)，且该圆角掩模定义有一顶部以及一底部，以及至少一存储点接触结构(storagenodecontactplug)位于该位线旁，该存储点接触结构至少包含有一导电层，其中从剖视图来看，该存储点接触结构定义有一宽度X1，其中该宽度X1所在位置与该圆角掩模的该顶部在一水平方向对齐，而该存储点接触结构定义有另一宽度X2，其中该宽度X2所在位置与该圆角掩模的该底部在该水平方向切齐，其中X1大于或等于X2。