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| 专利名称 | 集成电路静电防护的二极管触发可控硅 |
| 申请日 | 2018-10-09 |
| 申请号/专利号 | CN201821632602.9 |
| 专利权人 | 浙江大学昆山创新中心 |
| 申请人 | 浙江大学昆山创新中心 |
| 发明人/设计人 | 董树荣;徐泽坤;沈宏宇;郭维;胡涛 |
| 公告日 | 2019-05-10 |
| 公告号 | CN208848907U |
| 法律状态 | 有效 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 行业分类 | 集成电路 |
摘要
本实用新型公开了一种集成电路静电防护的二极管触发可控硅，包括第一衬底，第一衬底上设置有依次连接的第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区接入电学阳极，第一P阱上设置有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区连接第一N+注入区，第二N阱上设置有第三N+注入区，第三N+注入区和第二N+注入区均接入电学阴极。本实用新型触发电压小，鲁棒性高，导通电阻小，可以对集成电路进行有效的ESD防护。
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