本发明提供一种闪存器件的制造方法，在形成栅堆叠层的侧墙时，在侧墙的侧壁上形成第一保护层，该保护层与侧墙在去除字线区侧墙的工艺中是具有刻蚀选择性的，这样，在去除字线区侧墙时，该保护层可以保护擦除栅区的侧墙不被去除，该擦除栅区的侧墙为形成浮栅时的掩膜，通过该保护层减少或避免形成浮栅的掩膜的损伤，从而，提高形成的浮栅的均匀性，进而提高闪存器件的擦除效率，提高闪存器件的性能。