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专利名称一种基于带宽扩展交叉编址的双端口SRAM访问控制系统及方法
申请日2018-09-29
申请号/专利号CN201811151485.9
专利权人西安微电子技术研究所
申请人西安微电子技术研究所
发明人/设计人李磊;楚亚楠;张斌;张春妹
公告日2019-02-26
公告号CN109388344A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种基于带宽扩展交叉编址的双端口SRAM访问控制系统及方法,系统包括片内存储体、2个片选生成单元、交叉编址访问处理单元、数据对齐控制单元、数据拼接单元和容量可变缓存区,方法包括主机访问控制接口访问方法和多硬件访问控制接口的访问方法。通过片内存储体、数据对齐单元和交叉编址访问单元实现多块双端口SRAM同一时刻的并行访问节省了时间,实现了对片内存储体的紧致存储,达到了对存储空间最高效的利用,避免了同时访问冲突问题,最大化地保证了全系统的高效工作;同时,本发明设计结构简单清晰,控制灵活高效,多设备访问交叉编址通用性强,可变带宽访问便于移植,易于实施,可广泛应用于嵌入式系统芯片及专用集成电路中。
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