本公开提供了半导体器件的制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底上形成栅极结构；进行第一次掺杂，形成轻掺杂区；进行第二次掺杂，形成源极结构和漏极结构，第一次掺杂的掺杂类型与第二次掺杂的掺杂类型相同，第二次掺杂的掺杂浓度大于第一次掺杂的掺杂浓度；以及采用退火工艺，激活位于轻掺杂区、源极结构和漏极结构中的杂质元素，其中，在采用退火工艺之前，向所述轻掺杂区中注入间隙原子，以在所述轻掺杂区内形成点缺陷。基于此，本公开还提供了集成电路的制造方法。本公开能够在不加大制造工艺的复杂程度和集成电路面积的同时提高半导体器件的击穿电压，能基于同一工艺制造出具有不同击穿电压的半导体器件且不影响开关速度等工作性能。