本申请的各个实施例涉及其中高压金属氧化物半导体(HVMOS)器件与高压结终端(HVJT)器件集成的集成电路(IC)。在一些实施例中，第一漂移阱和第二漂移阱位于衬底中。第一漂移阱和第二漂移阱以环形图案交界且具有第一掺杂类型。外围阱位于衬底中且具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。外围阱围绕并分离第一漂移阱和第二漂移阱。主体阱位于衬底中且具有第二掺杂类型。此外，主体阱位于第一漂移阱上方并且通过第一漂移阱与外围阱间隔开。栅电极位于第一漂移阱和主体阱之间的结上方。本申请还提供了集成电路的制造方法。