本申请提供一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管，该硅基锗锡高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III‑V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述缓冲层厚度大于500nm。根据本实施例,能够提高晶体管的高速性能，并且，GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。