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专利名称制造集成电路器件的方法
申请日2018-09-26
申请号/专利号CN201811123457.6
专利权人三星电子株式会社
申请人三星电子株式会社
发明人/设计人洪锡九;文桢皓;金珍珠;全今慧
公告日2019-04-02
公告号CN109559980A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

提供了一种制造集成电路器件的方法,所述方法包括:在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层;在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层;通过曝光所述第一区域,在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸;将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中,所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域;以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。
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