本发明公开了一种基极调制的真空沟道纳米三极管及其制备方法，该纳米三极管包括发射极、集电极、基极、绝缘衬底以及电场产生装置；集电极与发射极间的电子输运距离保持在纳米尺度，因其小于/接近电子与气体分子碰撞的平均自由程，使得器件工作驱动电压小于分子的第一离子化势；所述电场产生装置在集电极和发射极之间以及基极上产生均匀可调的电场，用于电子发射和电场调控。该结构拟结合真空电子器件和半导体固态器件各自的优点，制备真空纳米沟道将电子器件的尺寸压缩到纳米尺度的范围内，以期实现获得低工作电压，高电流密度，并可在非严格真空气氛下工作的真空三极管器件。在新型纳米材料制备技术、纳米加工技术和大规模集成电路工艺高集成化中有极强的应用潜力。