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专利名称集成电路半定制物理设计高效信号线电迁移分析方法
申请日2018-09-25
申请号/专利号CN201811112697.6
专利权人嘉兴倚韦电子科技有限公司
申请人嘉兴倚韦电子科技有限公司
发明人/设计人徐靖
公告日2019-02-26
公告号CN109388864A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种集成电路半定制物理设计高效信号线电迁移分析方法,包括以下步骤。步骤S1:根据扁平式设计或者层次化设计对于寄生参数数据进行针对性检查。步骤S2:对于寄生参数数据进行格式转换。步骤S3:整理生成用于芯片设计的逻辑信息。步骤S4:根据经格式转换的寄生参数数据和用于芯片设计的逻辑信息生成属性信息。本发明公开的集成电路半定制物理设计高效信号线电迁移分析方法,基于信号线的物理和逻辑关系并且根据逻辑信息、属性信息和寄生参数数据利用FIT计算方式获得信号线电迁移分析数据,能够提高设计效率,避免无效工作和减少设计迭代次数,缩短整个芯片设计周期。
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