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专利名称在超高密度集成电路中产生对准的过孔的方法
申请日2018-09-25
申请号/专利号CN201811116294.9
专利权人马维尔国际贸易有限公司
申请人马维尔国际贸易有限公司
发明人/设计人常润滋;佘敏
公告日2019-04-02
公告号CN109560042A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

提供了一种在集成电路中形成与金属线对准的过孔的方法。该方法包括:形成堆叠的电介质层、加帽层、硬掩模层以及第一膜层和第一光刻胶层;图案化第一光刻胶层以提供金属线掩模;基于图案化的第一光刻胶层蚀刻硬掩模层,以形成金属线掩模;灰化第一光刻胶层和第一膜层;在硬掩模层上形成第二膜层和第二光刻胶层;图案化第二光刻胶层以跨金属线掩模的相对侧形成过孔掩模;基于图案化的第二光刻胶层蚀刻第二膜层和加帽层;灰化第二光刻胶层和第二膜层;基于硬掩模层的图案蚀刻电介质层和加帽层,以提供过孔区域和金属线区域;蚀刻硬掩模层和加帽层;以及执行双镶嵌工艺操作,以在过孔区域和金属线区域中形成过孔和金属线。
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