本发明涉及一种集成电路中栅极氧化层的TDDB测试装置，包括电源、连接端子和控制设备。所述电源用于施加测试电场。所述连接端子用于连接所述电源和栅极氧化层。所述控制设备连接所述电源，所述控制设备被配置为：获得对所述栅极氧化层进行斜坡电压测试所确定的击穿场强；在所述测试电场下对所述栅极氧化层进行TDDB测试，获得击穿时间；根据所述斜坡电压测试的斜坡率、所述击穿场强、所述击穿时间以及所述测试电场场强确定电场加速因子；以及使用所述电场加速因子计算所述栅极氧化层的寿命。