本发明提供了一种重新布线结构及其制造方法和半导体器件及其制造方法，所述重新布线结构的制造方法包括：首先，在一具有第一焊盘的衬底上形成第一介电质层；然后，在所述第一焊盘的顶表面上形成重布线金属层；最后，在所述重布线金属层和所述第一介电质层上形成第二介电质层，所述第二介电质层具有分别暴露出所述重布线金属层不同位置的顶表面的多个开口，每个开口底部暴露出的所述重布线金属层作为一个第二焊盘。以实现半导体器件上的焊盘数量增多和位置更加多样化，进而使得半导体器件上的每个焊盘具有相同的时钟反应，以及避免在同一个焊盘上做点测和焊接而导致的焊盘的底部的金属层开裂的问题。